SICC Co. Ltd.688234
▲ ポジティブ技術関連度
Won provincial science award for 12-inch SiC substrate tech, breaking overseas monopoly and leading global market.
天岳先進が主導した「大サイズ高品質炭化ケイ素半導体基板材料の基盤技術開発と産業化」プロジェクトが、2025年度山東省科学技術進歩賞の特等賞に輝いた。同賞の受賞は全省でわずか2件。同社は10年にわたり炭化ケイ素基板の全工程にわたるコア技術を深耕し、海外独占を完全に打破。2024年には世界初の12インチ炭化ケイ素基板を発表し、2025年には全シリーズ製品の開発を完了、業界を12インチ時代へと押し上げた。日本の富士経済が2026年3月に発表した報告書によると、2025年の導電型炭化ケイ素基板における世界市場シェアは天岳先進が27.6%で首位となり、うち8インチ高級基板の世界シェアは51.3%に達した。2025年の研究開発費は1億6600万元で前年比16.91%増加し、12インチの産業化などへの投資を継続している。12インチ基板は高熱伝導性や低損失といった特性を活かし、AI先端パッケージングと演算放熱、AR光学と車載スマートディスプレイという、いずれも数百億元規模の新興市場を切り開いている。
SICC Co. Ltd.Won provincial science award for 12-inch SiC substrate tech, breaking overseas monopoly and leading global market.