อีทีเอฟเผิงหัว STAR Composite Index ปรับขึ้นเกือบ 1% ห่วงโซ่อุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ปรับตัวขึ้นพร้อมกัน

ซิตี้คาดว่าภาวะขาดแคลนในตลาดเซมิคอนดักเตอร์หน่วยความจำทั่วโลกจะทวีความรุนแรงขึ้นไปจนถึงปี 2574 โดยได้แรงหนุนจากความต้องการที่เพิ่มขึ้นสำหรับหน่วยความจำแบนด์วิดท์สูง DRAM และ NAND จากการที่ระบบปัญญาประดิษฐ์หันมาใช้การเรียนรู้อย่างต่อเนื่อง ในรายงานวิจัยที่เผยแพร่เมื่อวันจันทร์ ธนาคารเพื่อการลงทุนแห่งนี้ระบุว่าการเรียนรู้อย่างต่อเนื่องอาจเป็นธีมหลักในการพัฒนา AI ในอีกห้าปีข้างหน้า ซึ่งเป็นแนวทางที่อัปเดตโมเดล AI ด้วยงานใหม่ๆ ขณะที่ยังคงรักษาความรู้เดิมไว้ จึงผลักดันความต้องการทั้งหน่วยความจำและการจัดเก็บข้อมูล ซิตี้คาดการณ์ว่าความต้องการ HBM จะเพิ่มขึ้น 62% เมื่อเทียบปีต่อปี เป็น 75.2 พันล้านกิกะบิตในปี 2570 ตามด้วยการเพิ่มขึ้นอีก 69% เป็น 127.0 พันล้านกิกะบิตในปี 2571 และคาดว่าความต้องการโซลิดสเตตไดรฟ์สำหรับองค์กรจะขยายตัวเนื่องจากระบบ AI ต้องการความจุในการจัดเก็บเพิ่มเติม สำหรับ DRAM ซิตี้คาดการณ์ว่าความต้องการทั่วโลกจะเติบโต 30% ในปี 2570 และ 35% ในปี 2571 เทียบกับอุปทานที่เติบโต 19% และ 22% ส่งผลให้อัตราส่วนอุปสงค์ต่ออุปทานอยู่ที่ -8.7% และ -9.7% ในปีดังกล่าว ทางธนาคารคาดว่าจะเกิดความไม่สมดุลในลักษณะเดียวกันกับหน่วยความจำ NAND โดยคาดการณ์ความต้องการเติบโต 29% ในปี 2570 และ 33% ในปี 2571 เทียบกับอุปทานที่เพิ่มขึ้น 21% และ 25% โดยอัตราส่วนอุปสงค์ต่ออุปทานของ NAND อยู่ที่ -6.1% ในปี 2570 และ -5.5% ในปี 2571 เทียบกับประมาณ -0.8% ในปี 2569 ในการวิจัยหุ้น ซิตี้ระบุชื่อซัมซุงอิเล็กทรอนิกส์ เอสเคไฮนิกซ์ ไมครอน แซนดิสก์ และคีอ็อกเซีย เป็นหุ้นเซมิคอนดักเตอร์หน่วยความจำที่ชอบ และเน้นมอนเทจ แอปพลายด์แมทีเรียลส์ แลมรีเสิร์ช ทีอีเอส ยูจีนเทค และเทควิง ในกลุ่มอุปกรณ์และวัสดุเซมิคอนดักเตอร์

ยูบีเอสคาดว่าการใช้จ่ายลงทุนด้านปัญญาประดิษฐ์จะแตะเกือบ 1 ล้านล้านดอลลาร์ในปี 2026 ก่อนจะเพิ่มขึ้นสู่ราว 1.4 ล้านล้านดอลลาร์ในปี 2027 โดยต้นทุนหน่วยความจำที่พุ่งสูงขึ้นคิดเป็นสัดส่วนใหญ่ของการเพิ่มขึ้นนี้ ประมาณการล่าสุดของธนาคารระบุว่าการใช้จ่ายลงทุนด้านเอไอทั้งหมดจะอยู่ที่ 998 พันล้านดอลลาร์ในปีนี้ เกือบสองเท่าของ 506 พันล้านดอลลาร์ที่บันทึกไว้ในปี 2025 และคาดการณ์การใช้จ่ายที่ 1.447 ล้านล้านดอลลาร์ในปีหน้า หน่วยความจำกำลังกลายเป็นแหล่งที่มาหลักของการเติบโตดังกล่าว โดยยูบีเอสประเมินว่าการใช้จ่ายด้านหน่วยความจำจะเพิ่มจาก 71 พันล้านดอลลาร์ในปี 2025 เป็น 367 พันล้านดอลลาร์ในปีนี้ และ 923 พันล้านดอลลาร์ในปี 2027 ขณะที่ต้นทุนอื่น ๆ ที่เกี่ยวข้องกับเอไอประเมินไว้ที่ 631 พันล้านดอลลาร์ในปี 2026 ก่อนจะลดลงเหลือ 525 พันล้านดอลลาร์ในปีหน้า นั่นหมายความว่าต้นทุนหน่วยความจำที่สูงขึ้นจะคิดเป็นราว 60% ของการเพิ่มขึ้นของการใช้จ่ายลงทุนด้านเอไอในปีนี้ และมากกว่าการเพิ่มขึ้นสุทธิทั้งหมดในปี 2027 และเมื่อรวมสองปีนี้ ยูบีเอสคำนวณว่าประมาณ 90% ของการเพิ่มขึ้นเกือบ 1 ล้านล้านดอลลาร์ของการใช้จ่ายลงทุนด้านเอไอระหว่างปี 2025 ถึง 2027 จะมาจากการใช้จ่ายด้านหน่วยความจำที่สูงขึ้น หน่วยความจำคิดเป็นสัดส่วนราว 14% ของการใช้จ่ายลงทุนด้านเอไอทั้งหมดในปี 2025 ซึ่งธนาคารประเมินว่าสัดส่วนนี้จะเพิ่มเป็น 37% ในปีนี้ และแตะ 64% ในปี 2027 และยูบีเอสระบุว่าการเพิ่มขึ้นที่ขับเคลื่อนด้วยราคาจะเพิ่มเม็ดเงินให้กับผลิตภัณฑ์มวลรวมภายในประเทศที่แท้จริงของสหรัฐฯ ค่อนข้างน้อย แต่กลับเป็นการโอนรายได้และกำไรไปยังผู้ผลิตหน่วยความจำในเอเชียแทน

ซีอีโอของ Micron Technology และ Intel เตือนว่าการขาดแคลนชิปหน่วยความจำและราคาที่สูงขึ้นอาจยืดเยื้อไปจนถึงปี 2027 โดยผู้บริหารของ Micron ระบุในการประชุมสายเมื่อไม่นานมานี้ว่าข้อจำกัดด้านอุปทานอาจเริ่มคลี่คลายอย่างมีนัยสำคัญตั้งแต่ปี 2028 เป็นต้นไป ซีอีโอของ Intel เห็นสอดคล้องกับแนวโน้มที่ตลาด DRAM และ NAND จะตึงตัวต่อเนื่อง โดยชี้ไปที่ความต้องการมหาศาลจากงานด้าน AI และศูนย์ข้อมูล Micron Technology ออกแบบและผลิตฮาร์ดแวร์หน่วยความจำและที่จัดเก็บข้อมูลซึ่งใช้ตั้งแต่สมาร์ตโฟนและพีซีไปจนถึงศูนย์ข้อมูล ดังนั้นภาวะตึงตัวยาวนานของอุปทาน DRAM และ NAND จึงส่งผลโดยตรงต่อผลิตภัณฑ์ที่บริษัทขายในตลาดเหล่านี้ ในฐานะหนึ่งในผู้ผลิตชิปสัญชาติสหรัฐที่มีขนาดใหญ่ที่สุด โดยมีมูลค่าตลาดรายงานอยู่ที่ราว 1.1 ล้านล้านดอลลาร์ ความเห็นของบริษัทเกี่ยวกับภาวะอุปทานอาจมีอิทธิพลต่อวิธีที่นักลงทุนมองการวางแผนกำลังการผลิตทั่วทั้งอุตสาหกรรมเซมิคอนดักเตอร์ การทดสอบที่ชัดเจนที่สุดของมุมมองนี้คือข้อตกลงลูกค้าระยะยาวและแผนการใช้กำลังการผลิตของ Micron ตลอดปี 2027 โดยเฉพาะว่าบริษัทจะรายงานความครอบคลุมของสัญญาแบบ take or pay ในระดับสูงสำหรับผลผลิตหน่วยความจำที่มุ่งเน้น AI ต่อไปหรือไม่ ขณะที่โรงงานผลิตแห่งใหม่และโมดูล DDR5 ขนาด 512GB เคลื่อนเข้าสู่การผลิตจำนวนมากในช่วงครึ่งหลังของปี 2027