Samsung Electronics Co Ltd005930
▲ ポジティブ技術関連度
Unveiled industry-first zHBM and zNAND-O concept models, plus V10 BV-NAND with 400+ layers, showcasing advanced AI memory technology.
サムスン電子は、カリフォルニア州サンタクララで開催されたFuture of Memory and Storage 2026カンファレンスにおいて、業界初となるzHBMおよびzNAND-Oのコンセプトモデルを発表した。同社はまた、400層を超えるV10 BV-NANDを紹介し、NANDにウェハボンディング技術が初めて適用されたことを示した。サムスンのAIメモリロードマップは、HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM、PM1763など、DRAMからエンタープライズストレージに至る次世代ソリューションを網羅している。zHBMアーキテクチャは、AIアクセラレータの真上に高帯域幅メモリを垂直に積層し、HBM5の約8倍の性能を実現するとともに、エネルギー効率を3倍に向上させ、熱抵抗を半分以下に低減することを目指している。サムスンはまた、メモリ、ファウンドリ、先進パッケージングにわたる能力を持つ世界唯一の統合デバイスメーカーとして、ワンストップターンキーソリューションを披露した。
Samsung Electronics Co LtdUnveiled industry-first zHBM and zNAND-O concept models, plus V10 BV-NAND with 400+ layers, showcasing advanced AI memory technology.