Samsung Electronics Co Ltd005930
▲ ポジティブ技術関連度
Samsung unveiled next-gen memory tech (BV-NAND, zHBM, zNAND-0) for AI, boosting performance and density.
韓国サムスン電子は4日、人工知能向けの次世代メモリー半導体技術を発表した。発表した技術は「V10 ボンディング V-NAND(BV-NAND)」試作品で、400層超を備えた新たなウエハー結合構造を採用し、従来製品「V9 NAND」と比べてメモリー密度を約58%向上させ、読み取りや書き込み、入出力の性能も改善した。また、業界初となる「zHBM」および「zNAND-0」のアーキテクチャー試作品も披露し、zHBMではAIアクセラレータの上にメモリーを垂直に積み重ねることで、従来のHBM5メモリーと比べて10倍超のメモリー密度、3倍のエネルギー効率、半分未満の熱抵抗を実現したと説明している。
Samsung Electronics Co LtdSamsung unveiled next-gen memory tech (BV-NAND, zHBM, zNAND-0) for AI, boosting performance and density.