Sandisk CorpSandisk announced sampling of its next-gen BiCS10 3D NAND with significant bit density, speed, and power efficiency gains for AI workloads.

แซนดิสก์ประกาศว่ากำลังส่งตัวอย่าง BiCS10 1Tb TLC ซึ่งเป็นเทคโนโลยีหน่วยความจำแฟลช 3D NAND รุ่นที่สิบของบริษัท ชิปรุ่นใหม่นี้มีความหนาแน่นบิตมากกว่า 29 กิกะบิตต่อตารางมิลลิเมตร เพิ่มขึ้น 59 เปอร์เซ็นต์จากรุ่น BiCS8 ก่อนหน้า และให้ความเร็วอินเทอร์เฟซ NAND สูงสุด 4.8 กิกะบิตต่อวินาที เพิ่มขึ้น 33 เปอร์เซ็นต์ BiCS10 ยังเพิ่มประสิทธิภาพการใช้พลังงาน โดยลดการใช้พลังงานอินพุตข้อมูลลง 10 เปอร์เซ็นต์ และการใช้พลังงานเอาต์พุตลง 34 เปอร์เซ็นต์ เมื่อเทียบกับ BiCS8 เทคโนโลยีนี้เพิ่มจำนวนชั้นหน่วยความจำเป็น 332 ชั้น และรวม Toggle DDR6.0, โปรโตคอล SCA และเทคโนโลยี PI-LTT เพื่อรองรับการทำงานความเร็วสูงและใช้พลังงานต่ำ แซนดิสก์กล่าวว่าความก้าวหน้าเหล่านี้ออกแบบมาเพื่อรองรับเวิร์กโหลดยุคหน้าที่ต้องใช้ข้อมูลเข้มข้นและขับเคลื่อนด้วย AI
Sandisk CorpSandisk announced sampling of its next-gen BiCS10 3D NAND with significant bit density, speed, and power efficiency gains for AI workloads.
CTO Realty Growth Inc