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▲ ポジティブ技術関連度
Announced third-generation MRDIMM chipset with 25% higher bandwidth, sampling to major DRAM suppliers.
ルネサス エレクトロニクスは、第3世代DDR5マルチプレクスドランクデュアルインラインメモリモジュールチップセットソリューションを発表し、サーバークラスのMRDIMM速度を最大16,000メガトランスファー毎秒まで実現しました。新チップセットは、RRG5013マルチプレクスドレジスタリングクロックドライバとRRG5103マルチプレクスドデータバッファを含み、既存のDDR5インフラとの互換性を維持しながら、前世代比25%高いメモリ帯域幅を提供します。AIデータセンター、クラウドインフラ、高速コンピューティングワークロード向けに設計された第3世代ソリューションは、システムの可視性と堅牢性を向上させるデバイスイコライゼーションセルフトレインモード品質表示ステータスも導入しています。ルネサスは、主要DRAMサプライヤーを含む一部の顧客にサンプル提供中で、2027年下半期の量産開始を予定しています。
Announced third-generation MRDIMM chipset with 25% higher bandwidth, sampling to major DRAM suppliers.