アトメラ、MST技術でシリコン上GaNのRF性能を向上

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要約 · なぜ重要か

アトメラは、RF用途向けシリコン上GaNの性能障壁を克服するため、独自のMST技術を用いた新たなアプローチを発表した。この手法は、シリコンウェハーに薄い酸素改質層を挿入し、結晶品質を改善し、高周波効率を歴史的に制限してきた寄生チャネル損失を低減する。テストでは、この技術により寄生界面電荷が一桁以上低減され、高電力レベルで卓越した線形性が実現され、低コストのシリコン上GaNデバイスがRF SOIなどのより高価な技術と同等の性能を達成できることが示されている。同社は、このブレークスルーが5G、6G、および将来の通信インフラ向けにコスト効率の高い高性能ソリューションを提供することで、大きな成長機会を生み出すと期待している。

銘柄への影響 1

Semiconductors · 1 銘柄
Atomera Inc
ATOM
▲ ポジティブ技術関連度

Atomera introduces MST technology to improve GaN-on-Silicon RF performance, enabling cost-effective high-performance solutions for 5G/6G.

テーマインパクト 2

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