Atomera Inc

アトメラは、2社あるゲートオールアラウンドのアクティブ顧客のうち1社との間で、製造上の重要なマイルストーンをクリアしたと発表し、工場内ライセンス取得に向けて前進した。また、AI需要を背景に、MSTテクノロジーの総アドレス可能市場がNANDフラッシュメモリの周辺回路への新たな適用により2倍以上に拡大すると発表した。シリコン上窒化ガリウムでは、RFテスト結果で、基準駆動レベルにおいてリファレンス基板よりも線形性が約1000倍優れていることが示され、完全集積RFフロントエンドの新たな市場が開かれる可能性がある。2026年第2四半期の売上高は15万8000ドル、GAAPベースの純損失は630万ドル（1株当たり0.17ドル）で、2025年第2四半期の純損失500万ドル（1株当たり0.17ドル）と比較して拡大した。2026年の非GAAP営業費用ガイダンスは、1825万ドルから1875万ドルのレンジの上限に絞り込まれ、外部委託エンジニアリングやツールリースのコスト上昇を反映している。

アトメラは、RF用途向けシリコン上GaNの性能障壁を克服するため、独自のMST技術を用いた新たなアプローチを発表した。この手法は、シリコンウェハーに薄い酸素改質層を挿入し、結晶品質を改善し、高周波効率を歴史的に制限してきた寄生チャネル損失を低減する。テストでは、この技術により寄生界面電荷が一桁以上低減され、高電力レベルで卓越した線形性が実現され、低コストのシリコン上GaNデバイスがRF SOIなどのより高価な技術と同等の性能を達成できることが示されている。同社は、このブレークスルーが5G、6G、および将来の通信インフラ向けにコスト効率の高い高性能ソリューションを提供することで、大きな成長機会を生み出すと期待している。