オンセミは、自動車、産業、AIデータセンター、新興アプリケーションにまたがる2030年までに2130億ドル規模の総獲得可能市場の獲得を目指す長期成長戦略を明らかにした。アリゾナ州スコッツデールに本拠を置く同社は、AI、電化、自動化の拡大に伴い電力密度が決定的なエンジニアリング上の制約になっていると述べ、電力およびセンシングのポートフォリオを活用してこれに対応するとした。ハッサン・エル＝クーリー社長兼最高経営責任者（CEO）は、同社が長年にわたり電力とセンシングの専門知識を蓄積し、顧客がより少ないスペースでより多くのエネルギーを供給できるよう支援してきたと語った。オンセミは成長をけん引すると見込む3つの技術プラットフォームを強調した。シリコン、炭化ケイ素、窒化ガリウムにまたがる高電圧技術で、同社だけが提供する差別化された垂直型窒化ガリウム製品を含む。高精度アナログ、高密度デジタル、高電圧インテリジェンス向けのTreoプラットフォーム。そしてシリコンウエハー自体をパッケージとして使用し、シリコン、SiC、GaNデバイスを単一のウエハーレベルアーキテクチャに統合するEmbedded Power Platformだ。同社は、最終市場が共通の技術要件に収れんしていることで、複数のアプリケーションに共通プラットフォームを展開でき、サービスを提供する市場よりも速く成長できると述べた。
ON Semiconductor Corporationonsemi outlined a long-term growth strategy targeting a $213B TAM by 2030, leveraging its power and sensing platforms including vertical GaN, Treo and Embedded Power.
