Sandisk CorpSNDK
▲ ポジティブ技術関連度
Sandisk announced sampling of its next-gen BiCS10 3D NAND with significant bit density, speed, and power efficiency gains for AI workloads.
サンディスクは、第10世代の3D NANDフラッシュメモリ技術であるBiCS10 1Tb TLCのサンプル出荷を開始したと発表しました。この新チップは、1平方ミリメートルあたり29ギガビットを超えるビット密度を達成し、前世代のBiCS8から59%の向上を実現しています。また、NANDインターフェース速度は最大4.8ギガビット毎秒と、33%高速化しました。BiCS10は電力効率も向上しており、BiCS8と比較してデータ入力時の消費電力を10%、出力時の消費電力を34%削減します。この技術はメモリ層数を332層に増やし、Toggle DDR6.0、SCAプロトコル、PI-LTT技術を採用することで、高速かつ低消費電力の動作を可能にします。サンディスクは、これらの進歩が次世代のデータ集約型およびAI駆動型ワークロードを支えるために設計されていると述べています。
Sandisk CorpSandisk announced sampling of its next-gen BiCS10 3D NAND with significant bit density, speed, and power efficiency gains for AI workloads.