Atomera IncAtomera introduces MST technology to improve GaN-on-Silicon RF performance, enabling cost-effective high-performance solutions for 5G/6G.

Atomera ได้นำเสนอแนวทางใหม่โดยใช้เทคโนโลยี MST ที่เป็นกรรมสิทธิ์ของบริษัท เพื่อเอาชนะข้อจำกัดด้านประสิทธิภาพใน GaN-on-Silicon สำหรับการใช้งาน RF วิธีการนี้แทรกชั้นบางที่ปรับแต่งด้วยออกซิเจนลงในแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอน ซึ่งช่วยปรับปรุงคุณภาพของผลึกและลดการสูญเสียจากช่องทางพาราซิติกที่เคยจำกัดประสิทธิภาพความถี่สูงมาโดยตลอด การทดสอบแสดงให้เห็นว่าเทคนิคนี้ลดประจุพาราซิติกที่อินเทอร์เฟซลงมากกว่าหนึ่งลำดับขนาด และช่วยให้มีความเป็นเชิงเส้นที่ยอดเยี่ยมที่ระดับกำลังสูง ทำให้อุปกรณ์ GaN-on-Silicon ที่มีต้นทุนต่ำกว่าสามารถเทียบเท่าประสิทธิภาพของเทคโนโลยีที่มีราคาแพงกว่าอย่าง RF SOI ได้ บริษัทคาดว่าความก้าวหน้าครั้งนี้จะสร้างโอกาสในการเติบโตอย่างมีนัยสำคัญ ด้วยการนำเสนอโซลูชันที่คุ้มค่าและมีประสิทธิภาพสูงสำหรับโครงสร้างพื้นฐานโทรคมนาคม 5G, 6G และในอนาคต
Atomera IncAtomera introduces MST technology to improve GaN-on-Silicon RF performance, enabling cost-effective high-performance solutions for 5G/6G.