Samsung Electronics Co LtdUnveiled industry-first zHBM and zNAND-O concept models, plus V10 BV-NAND with 400+ layers, showcasing advanced AI memory technology.

ซัมซุง อิเล็กทรอนิกส์ เปิดตัวโมเดลแนวคิด zHBM และ zNAND-O ครั้งแรกในอุตสาหกรรม ที่งานประชุม Future of Memory and Storage 2026 ณ เมืองซานตาคลารา รัฐแคลิฟอร์เนีย บริษัทยังได้แนะนำ V10 BV-NAND ที่มีมากกว่า 400 เลเยอร์ นับเป็นครั้งแรกที่มีการนำเทคโนโลยีเวเฟอร์บอนดิ้งมาใช้กับ NAND แผนงานหน่วยความจำ AI ของซัมซุงครอบคลุมโซลูชันยุคถัดไปตั้งแต่ DRAM ไปจนถึงสตอเรจระดับองค์กร รวมถึง HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM และ PM1763 สถาปัตยกรรม zHBM ทำการซ้อนหน่วยความจำแบนด์วิธสูงในแนวตั้งเหนือตัวเร่ง AI โดยตรง โดยมุ่งหวังที่จะมอบประสิทธิภาพประมาณแปดเท่าของ HBM5 พร้อมปรับปรุงประสิทธิภาพพลังงานสามเท่า และลดความต้านทานความร้อนลงมากกว่าครึ่งหนึ่ง ซัมซุงยังได้จัดแสดงโซลูชันแบบครบวงจรในฐานะผู้ผลิตอุปกรณ์ครบวงจรรายเดียวของโลกที่มีขีดความสามารถครอบคลุมหน่วยความจำ โรงหล่อ และบรรจุภัณฑ์ขั้นสูง
Samsung Electronics Co LtdUnveiled industry-first zHBM and zNAND-O concept models, plus V10 BV-NAND with 400+ layers, showcasing advanced AI memory technology.